Samsung начнёт выпускать чипы по 2-нм техпроцессу с новыми транзисторами GAAFET в 2025 году

Компания Samsung накануне в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum поделилась подробностями о сроках начала массового производства чипов с перспективными транзисторами GAAFET, а также обозначили, когда можно ожидать внедрения 2-нм технологии производства.

Здесь и далее источник: anandtech.com

Транзисторы GAAFET (Gate-All-Around или транзисторы с круговым затвором) станут одной из ключевых технологий в полупроводниковом производстве по истечении жизненного цикла актуальных транзисторов 3D FinFET. С новыми транзисторами можно будет увеличить производительность процессоров и прочих компонентов при сниженном потреблении энергии. Компания Samsung уже неоднократно заявляла, что внедрение первого поколения GAAFET будет осуществляться по нормам 3 нм в разновидностях 3GAE и 3GAP. 

Как ожидается, когда стандартная на сегодняшний день технология FinFET исчерпает свои возможности, полупроводниковая индустрия переключится на конструкцию «нанолистов» GAAFET. Каждый из крупнейших мировых производителей по-своему обозначает реализацию данной технологии. У Intel это RibbonFET, а у Samsung — MBCFET (multi-bridge channel FET). Но во всех случаях используется один принцип — переменные ширина и число проводящих каналов-нанолистов, что позволяет улучшить контроль над током. На транзисторах FinFET используются несколько рёбер (или «плавников»), обеспечивающих фиксированный размер канала, в то время как GAAFET позволяет варьировать размеры каналов, и транзистор можно оптимизировать под каждую конкретную задачу — повышая производительность или понижая потребление энергии.

В течение последних лет все крупные производители обсуждали технологию GAAFET на профильных мероприятиях. В июле этого года на мероприятии Intel Accelerated компания рассказала о дальнейшем развитии технологий. Переход на GAAFET (Intel RibbonFET) ожидается в 2024 году в соответствии с техпроцессом 2 нм. TSMC же планирует оставаться с FinFET, используя данное решение даже в техпроцессе 3 нм, в то время как внедрение Gate-All-Around будет ознаменовано переходом на 2 нм. Точные сроки тайваньский производитель пока не сообщает, поскольку ожидает относительно долгосрочной работы линий N5 (5 нм) и N3 (3 нм).

Тем временем Samsung ещё в 2019 году заявила о создании прототипа чипа на основе 3-нм GAA-транзисторов. Пару месяцев назад она сообщила о планах запустить массовое производство таких чипов уже в 2022 году. Теперь компания подтвердила свои намерения и уточнила сроки. Старший вице-президент Samsung Foundry по стратегии рынка Мун Су Кан (MoonSoo Kang) представил следующий график производства компонентов на основе технологии GAAFET:

  • производство продукции по технологии 3GAE стартует в конце 2022 года;
  • производство продукции по технологии 3GAP начнётся в конце 2023 года;
  • подготовка к технологии 2GAP займёт ещё 2 года, массовое производство запланировано на 2025 год.

Он также уточнил, что речь идёт о планах по производству компонентов — выход потребительских товаров на рынок будет зависеть от клиентов Samsung и их собственных графиков. Исходя из этого, имеет смысл добавить один или два квартала (3–6 месяцев), поэтому продукция на основе 2GAP достигнет потребителя в 2026 году.

Источник

Добавить комментарий